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铜铬

CuCr50触头:  T应用于真空灭弧室。该触头多次经德国西门子公司检测,所有性能均达到该公司的技术要求,平均截流值2~2.5A,最大截流值3.2A。在国内通过了12kV/12.5kA、20kA、31.5kA、40kA、50kA、100kA;40.5kV/20kA、25kA、31.5kA真空断路器的型式试验。在行业中具有很高的信誉,是各大真空灭弧室生产厂的首选产品。
电弧法CuCr45触头:  应用于真空灭弧室。该触头具有Cr颗粒在Cu基体中细小弥散分布的组织特征,各项性能与德国西门子公司生产的电弧法CuCr45触头的性能相当,具有优异的综合电性能。在国内已通过了380~1140V/80kA低压真空断路器的型式试验。
电弧法CuCr40触头:  应用于真空灭弧室。该触头具有Cr颗粒在Cu基体中 细小弥散分布的组织特征,具有优异的综合电性能。在国内小型化真空灭弧室中已通过了40.5kV/31.5kA真空断路器的型式试验。
电弧法CuCr25触头: 应用于真空灭弧室。该触头具有Cr颗粒在Cu基体中细小弥散分布的组织特征,具有优异的综合电性能。在国内小型化真空灭弧室中已通过了12kV/16kA、25kA、31.5kA、40kA真空断路器的型式试验。
烧结法CuCr25触头:  应用于国内外12~40.5kV等级的真空灭弧室。

 

 

性能参数:

材料

密度 (g/cm3)

硬度HB
(MPa)

电导率 (MS/m)

含气量(ppm)

成分(wt.%)

CuCr25

8.30

750

28

500

50

Cr:24-28  
Cu:余量

CuCr30

8.20

750

26

500

50

Cr:30±2          
Cu:余量

CuCr40

8.05

850

22

500

50

Cr:40±2    
Cu:余量

CuCr45

8.00

850

20

500

50

Cr:42-47 
Cu:余量

CuCr50

7.90

900

17

500

50

Cr:47-52  
Cu:余量


金相图片:

VAM-CuCr25 


Sintered-CuCr25


VAM-CuCr40


VAM-CuCr45  


Infiltrated-CuCr50

 

 
 
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